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	<title>土龙老窝</title>
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	<description>我的工作室--让我们一起奋斗吧!</description>
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		<title>纤维增强塑料吸水性试验方法</title>
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		<pubDate>Thu, 12 Jan 2012 08:51:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[环保与检测]]></category>
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		<category><![CDATA[标准]]></category>
		<category><![CDATA[检测]]></category>

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		<description><![CDATA[纤维增强塑料吸水性试验方法 GB及ASTM标准 1 范围 本 标 准 规定了纤维增强塑料在规定尺寸、温度和浸水时间下测定吸水量的设备、试样、试验步骤、计 算、试验结果和试验报告。 本 标 准 适用于测定纤维增强塑料的吸水性，其结果仅作对比之用，而不用于表示可能吸人的最大吸 水量。只有尺寸相同、物理状态尽可能相同的试样才能进行吸水性的比较。 本 标 准 规定的两种方法的浸水温度分别是23℃和沸水温度。在沸水温度下会发生软化以至失去 原来形态的纤维增强塑料，只能在23℃下试验。 注 ：仲 裁 试验时，沸水温度限于100℃士20C. 2 规范性引用文件 下 列 文 件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB /T 1 446 纤维增强塑料性能试验方法总则 3 原理 固体 材 料与液体相接触时，液体分子会向固体材料内部扩散，并以物理的或化学的方式存在于固体 中，宏观表现为固体材料质量增加，质量增加的大小和速度是材料固有的性质，即材料的吸水性。 GB/T 1462-2005                               ASTM D570 2005 GB/T 1462-2005网盘提取码： NtKURS ASTM D570-2005网盘提取码： C3A37b &#160; &#160;]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>纤维增强塑料吸水性试验方法 GB及ASTM标准<br />
1 范围<br />
本 标 准 规定了纤维增强塑料在规定尺寸、温度和浸水时间下测定吸水量的设备、试样、试验步骤、计<br />
算、试验结果和试验报告。<br />
本 标 准 适用于测定纤维增强塑料的吸水性，其结果仅作对比之用，而不用于表示可能吸人的最大吸<br />
水量。只有尺寸相同、物理状态尽可能相同的试样才能进行吸水性的比较。<br />
本 标 准 规定的两种方法的浸水温度分别是23℃和沸水温度。在沸水温度下会发生软化以至失去<br />
原来形态的纤维增强塑料，只能在23℃下试验。<br />
注 ：仲 裁 试验时，沸水温度限于100℃士20C.</p>
<p>2 规范性引用文件<br />
下 列 文 件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有<br />
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究<br />
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。<br />
GB /T 1 446 纤维增强塑料性能试验方法总则<br />
3 原理<br />
固体 材 料与液体相接触时，液体分子会向固体材料内部扩散，并以物理的或化学的方式存在于固体<br />
中，宏观表现为固体材料质量增加，质量增加的大小和速度是材料固有的性质，即材料的吸水性。</p>
<p>GB/T 1462-2005<a href="http://www.kuaipan.cn/index.php?ac=file&amp;oid=27054226630770700"><img src="http://pp808.cn/wp-content/up/xz.png" alt="" width="201" height="46" /></a>                             </p>
<p> ASTM D570 2005<a href="http://www.kuaipan.cn/index.php?ac=file&amp;oid=27054226630770703"><img src="http://pp808.cn/wp-content/up/xz.png" alt="" width="201" height="46" /></a></p>
<p>GB/T 1462-2005网盘提取码： NtKURS<br />
ASTM D570-2005网盘提取码： C3A37b</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p>
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		<title>BGA基础资料介绍</title>
		<link>http://pp808.cn/339.html</link>
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		<pubDate>Thu, 12 Jan 2012 02:40:02 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[电子胶水]]></category>
		<category><![CDATA[bga]]></category>
		<category><![CDATA[underfill]]></category>
		<category><![CDATA[底部填充胶]]></category>
		<category><![CDATA[电子胶]]></category>
		<category><![CDATA[胶粘剂]]></category>

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		<description><![CDATA[BGA基础资料介绍 第一部分：IC封装技术的发展简述 随着电子技术的不断发展，电子产品不断像轻型化、小型化发展，这必然向元器件特别是IC的封装技术提出了更高的要求。 一、 DIP    20世纪70年代，芯片封装基本都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合PCB（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点，多用于引脚数在64只以下的器件。DIP封装的结构形式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。    但是衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。DIP的封装效率相当低，其芯片面积与封装面积之比为1：1.86。以电脑内存条为例，其PCB板的面积是固定的，封装面积越大，PCB上能安装的芯片数量越少，内存条的容量就越小。                    二、 SOP 20世纪80年代，芯片第二代封装技术SOP出现。SOP是“Small out－line Package”的缩写，意思是小尺寸封装。其特点是引脚在芯片的两边，引脚数多在64只以下;焊接时采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面，由于焊点和PCB的接触面小，使得芯片向PCB散热相对困难。                三、 QFP    这种技术的中文含义叫方型扁平式封装技术（Plastic Quad Flat Pockage），其特点是引脚在芯片的四周，引脚之间的间距很小（极限为0.5mm），管脚很细，引脚数范围为36～208和212～304;主要适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，适合高频使用，可靠性高，一般用于大规模集成电路。    夏新手机电路中的射频IC一般都采用这种封装形式（如A6/A9、恒9系列）。此外，早期产品A8298系列的CPU和电源IC也采用这种封装形式。    四、 PGA与ZIF    PGA，全称“Pin Grid Array Package”，其外形特点是在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。    ZIF，全称“Zero Insertion Force Socket”，是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，芯片就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将芯片的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，芯片即可轻松取出。 上述封装技术一般用于一些体积较大的电子设备（如电脑），手机电路中一般不采用。                                    五、 BGA与CSP 20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，芯片集成度不断提高，I / O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。 BGA，全称“Ball Grid Array Package”，球状引脚栅格阵列封装技术，是将原来器件PLCC/QFP封装的“J”形或翼形引线，改变成球形引脚；把从器件本体四周“单线性”顺列引出的引线，改变成本体腹底之下“全平面”式的格栅阵排列。 CSP，全称“Chip Size Package”，芯片尺寸封装，是在BGA封装技术的基础上进一步发展的一种先进的封装技术，最早由日本三菱公司1999年提出。它可以容纳更多的I/O引脚数，芯球间距一般小于1.0mm，芯片面积与封装面积的比值可达1：1.14，接近1：1的理想状态。 球栅阵列封装技术可详分为五大类： 1）PBGA（Plasric BGA）基板：一般为2-4层有机材料构成的多层板。 2）CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。 3）FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。 4）TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的1-2层PCB电路板。 [...]]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>BGA基础资料介绍<br />
第一部分：IC封装技术的发展简述<br />
随着电子技术的不断发展，电子产品不断像轻型化、小型化发展，这必然向元器件特别是IC的封装技术提出了更高的要求。<br />
一、 DIP<br />
   20世纪70年代，芯片封装基本都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合PCB（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点，多用于引脚数在64只以下的器件。DIP封装的结构形式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。<br />
   但是衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。DIP的封装效率相当低，其芯片面积与封装面积之比为1：1.86。以电脑内存条为例，其PCB板的面积是固定的，封装面积越大，PCB上能安装的芯片数量越少，内存条的容量就越小。</p>
<p><a href="/wp-content/up/2012/1/image001.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image001.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a><a href="/wp-content/up/2012/1/image002.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image002.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a><br />
                  <br />
二、 SOP<br />
20世纪80年代，芯片第二代封装技术SOP出现。SOP是“Small out－line Package”的缩写，意思是小尺寸封装。其特点是引脚在芯片的两边，引脚数多在64只以下;焊接时采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面，由于焊点和PCB的接触面小，使得芯片向PCB散热相对困难。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image003.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image003.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a><a href="/wp-content/up/2012/1/image004.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image004.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a>              <br />
三、 QFP<br />
   这种技术的中文含义叫方型扁平式封装技术（Plastic Quad Flat Pockage），其特点是引脚在芯片的四周，引脚之间的间距很小（极限为0.5mm），管脚很细，引脚数范围为36～208和212～304;主要适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，适合高频使用，可靠性高，一般用于大规模集成电路。<br />
   夏新手机电路中的射频IC一般都采用这种封装形式（如A6/A9、恒9系列）。此外，早期产品A8298系列的CPU和电源IC也采用这种封装形式。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image005.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image005.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a><a href="/wp-content/up/2012/1/image006.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image006.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a>   <br />
四、 PGA与ZIF<br />
   PGA，全称“Pin Grid Array Package”，其外形特点是在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。<br />
   ZIF，全称“Zero Insertion Force Socket”，是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，芯片就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将芯片的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，芯片即可轻松取出。<br />
上述封装技术一般用于一些体积较大的电子设备（如电脑），手机电路中一般不采用。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image007.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image007.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a><a href="/wp-content/up/2012/1/image008.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image008.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a>                                   <br />
五、 BGA与CSP<br />
20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，芯片集成度不断提高，I / O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。<br />
BGA，全称“Ball Grid Array Package”，球状引脚栅格阵列封装技术，是将原来器件PLCC/QFP封装的“J”形或翼形引线，改变成球形引脚；把从器件本体四周“单线性”顺列引出的引线，改变成本体腹底之下“全平面”式的格栅阵排列。<br />
CSP，全称“Chip Size Package”，芯片尺寸封装，是在BGA封装技术的基础上进一步发展的一种先进的封装技术，最早由日本三菱公司1999年提出。它可以容纳更多的I/O引脚数，芯球间距一般小于1.0mm，芯片面积与封装面积的比值可达1：1.14，接近1：1的理想状态。</p>
<p>球栅阵列封装技术可详分为五大类：<br />
1）PBGA（Plasric BGA）基板：一般为2-4层有机材料构成的多层板。<br />
2）CBGA（CeramicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片（FlipChip，简称FC）的安装方式。<br />
3）FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬质多层基板。<br />
4）TBGA（TapeBGA）基板：基板为带状软质的1-2层PCB电路板。<br />
5）CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封装中央有方型低陷的芯片区（又称空腔区）。</p>
<p>球栅阵列封装的优点：<br />
1）I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率。<br />
2）虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能。<br />
3）信号传输延迟小，适应频率大大提高。<br />
4）组装可用共面焊接，可靠性大大提高。<br />
球栅阵列封装的缺点：<br />
1） 只能用X光或超声原理进行检查。<br />
2） 要获得满意的内侧加热，需要延长再流焊时间或升高再流焊温度。<br />
3） 难以保证热循环的稳定性。<br />
4） PBGA较容易发生“吸湿”效应。<br />
5） 增加了PCB的成本。<br />
6） 拆卸后难以返工。<br />
手机电路中，一般高引脚数、高速、多功能的IC皆采用BGA或CSP封装，如CPU、Memory、电源IC等。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image009.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image009.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a><a href="/wp-content/up/2012/1/image010.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image010.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a>    <br />
六、IC封装的三大技术趋势：<br />
1） Flip Chip技术：典型的圆晶级封装，以芯片凸块（bump）与基板（substrate）直接连接而取代打线接合（wirebonding）技术，适合I/O数在1000以上的产品，其优势在于能大幅度提高品的电性和散热性能。Flip Chip适合高引脚数、高速、多功能的器件，但其进入门槛高，技术胜出者才能占尽市场优势。<br />
2） WLP技术：和先将晶圆切割成裸芯片再进行测封不同，WLP直接在整个晶圆上进行测试和封装之后，再切割成单颗晶粒，中间不再需要进行任何封装步骤，明显缩小了封装尺寸，亦大幅降低了封装成本。WLP的优点还在于：由于芯片与电路板间隔着锡球，因此可缩短电路传输路径，降低了分布电感和电容，故可有效减少电流损耗和电磁波干扰发生的机率，提高电路的工作效率;由于少了IC外部密封的塑胶或陶瓷包装，故IC芯片工作时所产生的热损耗，可直接从芯片背部以热传导与热辐射的方式发散，可有效解决移动电子装置的散热问题。<br />
3） SiP技术：过去的SiP技术采用将多个裸芯片放在同一个基板平面上的2D形式为主，芯片和主板之间的连接方式采用有打线、倒装以及卷带自动接合（TAB）技术，此种封装仍有电路传输路径过长，封装面积太大等缺点，MCM（多芯片模块）封装就是采用这种封装技术。<br />
为了改善上述缺点，目前SiP已逐渐朝向将芯片以3D形式堆叠封装的趋势发展。3D堆叠封装分为两种，一是直接先堆叠裸芯片并连接于基板后，再进行封装（chip stacked），另一种则是将多个封装好的芯片堆叠好后再组合到一起（package stacked）。前者的封装方式，最多只能重叠四层裸芯片，而且在测试上非常困难，目前3D形式的SiP仍以后者的package stacked为主，不但拥有可预行测试的优点，可堆叠的层数也较多，而且可满足轻薄短小的需求。<br />
第二部分：SMT工艺流程简介<br />
BGA芯片与PCB之间的电气连接通常通过SMT（表面贴装技术）来实现。<br />
一、 SMT基本工艺构成要素<br />
1、 丝印：其作用是将焊膏或贴片胶漏印到PCB焊盘上，为元器件的贴装做准备。所用设备为丝印机（全自动、半自动），也有手工印刷，位于SMT生产线的最前端。<br />
2、 点胶：作用是将贴片胶点到PCB的固定位置上，为元器件的贴装做准备。所有设备为点胶机（自动）和手动点胶机，位于SMT生产线的最前端或检测设备的后面。<br />
3、 贴装：将表面贴装元件准确贴装到PCB的固定位置上。所用设备为贴片机，位于丝印机的后面。<br />
4、 固化：将贴片胶固化，使表面组装元件与PCB板牢固粘接在一起，完成机械连接。所用设备为固化炉，位于贴片机的后面。<br />
5、 回流：将焊膏熔化，使表面组装元件与PCB粘接在一起，完成机械与电路连接。所用设备为回流焊炉，位于贴片机的后面。<br />
6、 清洗：将组装好的PCB板上的对人体有害的焊接残留物清除，所用设备为清洗机，位置可以不固定。<br />
7、 检测：对组装好的PCB板进行焊接质量和装配质量检测。所用设备有放大镜、显微镜、测试仪（ICT）、X－RAY检测仪、功能测试仪等，位置不固定，可配置在合适的地方。<br />
8、 返修：对检测出故障的PCB板进行返工。所有工具为烙铁、返修台等，位置不固定。<br />
二、SMT典型工艺流程<br />
1、 单面组装工艺<br />
a、 来料检测→焊膏丝印→贴片→回流→检测→返修<br />
b、 来料检测→点贴片胶→贴片→固化→检测→返修<br />
2、 单面混装工艺<br />
a、 来料检测→PCB丝印焊膏→贴片→回流→清洗→插件→波峰焊→清洗→检测→返修<br />
b、 来料检测→PCB点贴片胶→贴片→固化→清洗→插件→波峰焊→清洗→检测→返修<br />
3、 双面组装工艺<br />
a、 来料检测→PCB的A面丝印焊膏（点贴片胶）→贴片→A面回流（固化）→清洗→翻板→PCB的B面丝印焊膏（点贴片胶）→贴片→B面回流（固化）→清洗→检测→返修<br />
此工艺适合PCB的两面皆贴装有PLCC等较大的SMD时采用。<br />
b、 来料检测→PCB的A面丝印焊膏（点贴片胶）→贴片→A面回流（固化）→清洗→翻板→PCB的B面点贴片胶→贴片→B面固化→B面波峰焊→清洗→检测→返修<br />
此工艺A面回流焊，B面波峰焊；B面组装的SMD皆在28引脚以下时，宜采用此工艺。<br />
4、 双面混装工艺<br />
a、 来料检测→B机点贴片胶→贴片→固化→清洗→翻板→A面插件→B面波峰焊→清洗→检测→返修<br />
      先贴后插，适用于SMD元件多于插件元件的情况<br />
b、 来料检测→A面插件→翻板→B面点贴片胶→贴片→固化→B面波峰焊→清洗→检测→返修<br />
先插后贴，适用于插件元件多于SMD元件的情况<br />
c、 来料检测→A面丝印→贴片→回流→插件→翻板→B面点胶→贴片→固化→B面波峰焊→清洗→检测→返修<br />
A面混装，B面贴装<br />
三、实装手机制造工艺流程</p>
<p><a href="/wp-content/up/2012/1/image011.gif"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image011.gif" alt="" width="480" height="260" /></a></p>
<p>四、BGA芯片焊接温度曲线<br />
 <br />
较理想的热风回流温度曲线应接近于焊膏回流曲线，这可以从焊膏供应商那里得到。热风回流焊曲线一般可分成四个区间：预热区，加热区，回流区，冷却区。四个区间的温度、时间参数可以分别设定，通过与计算机连接，可以将这些程序存储和随时调用。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image012.gif"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image012.gif" alt="" width="171" height="136" /></a><br />
    在回流焊过程中要正确选择每个区的加热温度和时间，同时应注意升温的速度。一般在100度以前，最大的升温速度不超过6度/秒，100度以后最大的升温速度不超过3度/秒；在冷却区，最大的冷却速度不超过6度/秒。因为过高的升温和降温速度有可能损坏PCB和芯片，这种损坏有时是肉眼不能观察到的。<br />
五、底部填充胶简介<br />
底部填充胶，又称“Underfill”，化学类型一般为环氧树脂，主要用于加强BGA/CSP芯片与PCB之间的机械连接。其主要作用如下：<br />
1、 改善PCB机械强度。防止焊球受碰撞、按键压力或基板扭曲等现象的影响而出现破裂。<br />
2、 加强PCB的抗温度冲击能力。<br />
主要技术指标：<br />
1、 恢复能力；<br />
2、 固化条件（温度一般不超过120°C，时间不超过30min）；<br />
3、储存温度（一般要求低温存储&lt;5°C）；<br />
4、粘性；<br />
5、渗透速度；<br />
6、依附能力；底填胶的依附能力越强，保护芯片的能力也越强，可返修性则越差。<br />
7、可靠性。跌落实验、按键实验和温度冲击实验是检验底填胶可靠性的有效手段。<br />
点胶设备主要有手动点胶机、半自动点胶机和全自动点胶机，工序一般设置在回流焊之后。<br />
第三部分：BGA焊接质量的检测技术<br />
目前市场上出现的BGA封装类型主要有：PBGA(塑料BGA)、CBGA(陶瓷BGA)及TBGA(载带BGA)。需要指出的是，BGA基板上的焊球不论是通过高温焊球(90Pb/10Sn)转换，还是采用球射工艺形成，焊球都有可能掉下丢失，或者成型过大、过小，或者发生焊球桥连、缺损等情况。因此，需要对BGA焊接后质量情况的一些指标进行检测控制。<br />
目前常用的BGA检测技术有电测试、边界扫描及X射线检测。<br />
一、 电测试<br />
     传统的电测试是查找开路与短路缺陷的主要方法。其唯一目的是在板的预制点进行实际的电连接，这样便可以撮合一个使信号流入测试板、数据流入ATE的接口。如果印制电路板有足够的空间设定测试点，系统就能快速、有效地查找到开路、短路及故障元件。系统也可检查元件的功能。测试仪器一般由微机控制，检测不同PCB时，需要相应的针床和软件。对于不同的测试功能，该仪器可提供相应工作单元来进行检测。例如，测试二极管、三极管时用直流电平单元；测试电容、电感时用交流单元；而测试低数值电容及电感、高阻值电阻时用高频信号单元。<br />
二、 边界扫描检测<br />
边界扫描技术解决了一些与复杂元件及封装密度有关的搜寻问题。采用边界扫描技术，每一个IC元件设计有一系列寄存器，将功能线路与检测线路分离开，并记录通过元件的检测数据。测试通路检查IC元件上每一个焊接点的开路、短路情况。基于边界扫描设计的检测端口，通过边缘连接器给每一个焊点提供一条通路，从而免除全节点查找的需要。电测试与边界扫描检测都主要用以测试电性能，却不能较好检测焊接的质量。为提高并保证生产过程的质量，必须找寻其它方法来检测焊接质量，尤其是不可见焊点的质量。<br />
三、 X射线测试<br />
有效检测不可见焊点质量的方法是X射线检测。该检测方法基于X射线不能象透过铜、硅等材料一样透过焊料的思想。换言之，X射线透视图可显示焊接厚度、形状及质量的密度分布。厚度与形状不仅是反映长期结构质量的指标，在测定开路、短路缺陷及焊接不足方面，也是很好的指标。此技术有助于收集量化的过程参数，这些补充数据有助于降低新产品开发费用，缩短投放市场的时间。<br />
自动X射线分层系统使用了三维剖面技术。该系统能检测单面或双面表面贴装电路板，而没有传统的X射线系统的局限性。系统通过软件定义了所要检查焊点的面积和高度，把焊点剖成不同的截面，从而为全部检测建立完整的剖面图。<br />
目前已有两种检测焊接质量的自动测试系统上市：传输X射线测试系统与断面X射线自动测试系统。传输X射线测试系统源于X射线束沿通路复合吸收的特性。对SMT的某些焊接，如单面PCB上的J型引线与微间距QFP，传输X射线系统是测定焊接质量最好的办法，但它却不能区分垂直重叠的特征。因此，在传输X射线透视图中，BGA元件的焊缝被其引线的焊球遮蔽。对于RF屏蔽之下的双面密集型PCB及元器件的不可见焊接，也存在这类问题。<br />
    断面X射线自动测试系统克服了传输X射线测试系统的众多问题。它设计了一个聚焦断面，并通过上下平面散焦的方法，将PC的水平区域分开。该系统的成功在于只需较短的测试开发时间，就能准确检查焊接点。但断面X射线测试系统提供了一种非破坏性的测试方法，可检测所有类型的焊接质量，并获得有价值的调整装配工艺信息。<br />
第四部分：BGA芯片的返修工艺<br />
一、BGA返修基本工艺构成<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image013.gif"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image013.gif" alt="" width="480" height="80" /></a><br />
1、 电路板预热。其作用是将电路板中的潮气去除，如果电路板和芯片的潮气很小(如芯片刚拆封)，这一步可以免除。<br />
2、 拆除芯片。利用热风或红外返修系统将芯片从电路板上取下。若拆下的芯片不需再利用，可用较高的加热温度，以获得较短的加热周期。<br />
3、 清洁PCB焊盘。即利用镊子、刀头电烙铁等辅以合适的清洗剂将残留在PCB焊盘上的焊锡、助焊剂或焊锡膏、底填胶等清除干净。<br />
4、 涂焊锡膏。在PCB上涂上焊锡膏，关键是要控制焊锡膏量和确保涂得均匀，不同的芯片和焊锡膏对量的要求都有所不同，需经过精确的计算。美国OK集团的MS-1微型焊锡膏印板系统，通过选用与芯片相符的模板，可以很方便地将焊锡膏涂在电路板上，也可采用手工印刷。<br />
5、 贴片。目的是使BGA芯片上的每一个焊锡球与PCB上每一个对应的焊点对正。美国OK集团制造的BGA3000和MP-2000设备可以精确地完成这些任务，也可利用贴片机中的对位装置或手工对位来完成。<br />
6、 热风回流焊，这是整个返修工艺的关键。芯片的返修回流曲线应与芯片的原始焊接温度曲线接近。加热方式一般有两种：一种是热风加热，通过选用与芯片形状匹配的喷嘴，可以有效地控制加热范围，但对于点有底填胶的芯片，由于喷嘴的阻挡，其内置的真空吸盘难以将芯片吸起，而且其控制温度精确度的能力难以适应无铅焊膏的工艺要求；另一种是红外加热，通过强大的软件功能，同样可以有效地控制加热范围，同时由于没有喷嘴的阻挡，即使对点有底填胶的芯片，也可用镊子轻易地将其从PCB板上取下，更重要的是，它可以更加精确地控制温度，能够适应无铅焊膏的工艺要求，是未来的发展趋势。<br />
7、 通电检测及其后步骤。检验返修效果，加强BGA与PCB之间的机械连接。<br />
二、BGA芯片植球基本工艺构成<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image014.gif"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image014.gif" alt="" width="480" height="80" /></a><br />
1、 芯片预热。其作用是将芯片中的潮气去除，如果芯片的潮气很小(如芯片刚拆封)，这一步可以免除。<br />
2、 清洁芯片焊盘。即利用镊子、刀头电烙铁等辅以合适的清洗剂将残留在芯片上的焊锡、助焊剂或焊锡膏、底填胶等清除干净。<br />
3、 芯片单体检测。确认即将植球的芯片为电性能良品。<br />
4、 涂助焊膏。将助焊膏均匀地涂在芯片上。<br />
5、 置球。通过已芯片相匹配的网状模板，将已成形的锡球对应芯片焊盘一个个放置于芯片上。<br />
6、 热风回流焊，这是整个返修工艺的关键。芯片的返修回流曲线应与芯片的原始焊接温度曲线接近。加热方式一般有两种：一种是热风加热，由于无加热范围的限制，可以不用使用喷嘴，但在回流过程中，由于气流的影响，锡球易偏移或脱落，一次成品率较低，同样，对于无铅焊膏的工艺窗口较小；另一种是红外加热，由于不受气流的影响，锡球的偏移或脱落的概率较小，是较理想的回流焊方式。<br />
7、 锡球检验与修正。对回流后芯片上的锡球焊接质量（如共面性，有无假焊等）进行检验，可用放大镜进行目测，也可用X射线进行检验，并对不良品进行手工修正。<br />
8、 芯片单体检测。在将已植球芯片贴装到PCB板上之前，检测其电性能，避免不必要的返工。<br />
三、BGA芯片的单体检测方案<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image015.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image015.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a> <a href="/wp-content/up/2012/1/image016.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image016.jpg" alt="" width="171" height="136" /></a><br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/image017.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/2012/1/image017.jpg" alt="" width="171" height="jpg" /></a><br />
制作一块与待测芯片功能相符的PCB板，通过一个适配器实现与待测BGA芯片的电气连接（粗略图如Page1所示）。<br />
该适配器固定于PCB板上，其构造如Page2和Page3所示。它拥有与BGA芯片数量一样且分布相同的引脚，这些引脚形状与BGA芯片匹配，可以自由伸缩，有效地解决了由于BGA表面锡球共面性的细微差异带来的可靠接触问题。<br />
同时，在BGA芯片的支撑钢板上方，还加了一个可下压的夹钳，通过对螺钉的调整，可以更加有效地保证电气连接的可靠性，最大限度地避免了由于接触不良可能导致的错误测试结果。<br />
最后，只要对PCB板通电，并通过相应的测试软件予以控制，就可以进行BGA芯片的单体测试了。</p>
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		<title>cas no</title>
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		<pubDate>Thu, 12 Jan 2012 02:15:00 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[其它]]></category>
		<category><![CDATA[cas no]]></category>
		<category><![CDATA[化学]]></category>
		<category><![CDATA[标准]]></category>

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		<description><![CDATA[CAS NO又称：CAS NO.\CAS Registry Number\CAS Number \CAS登录号 CAS NO是美国化学文摘服务社(Chemical Abstracts Service ,CAS)为化学物质制订的登记号，该号是检索有多个名称的化学物质信息的重要工具。是某种物质（化合物、高分子材料、生物序列（Biological sequences）、混合物或合金的唯一的数字识别号码。 　　美国化学会的下设组织CAS负责为每一种出现在文献中的物质分配一个CAS号，其目的是为了避免化学物质有多种名称的麻烦，使数据库的检索更为方便。如今几乎所有的化学数据库都允许用CAS号检索。到2005年12月25日，CAS已经登记了27,115,156种物质最新数据 ，并且还以每天4,000余种的速度增加。 格式 :一个CAS号以连字符“-”分为三部分，第一部分有2到6位数字，第二部分有2 位数字，第三部分有1位数字作为校验码。CAS号以升序排列且没有任何内在含义。校验码的计算方法如下：CAS顺序号（第一、二部分数字）的最后一位乘以1，最后第二位乘以2，依此类推，然后再把所有的乘积相加，再把和除以10，其余数就是第三部分的校验码。举例来说，水（H2O）的CAS号前两部分是7732-18，则其校验码=（8×1+1×2+2×3+3×4+7×5+7×6）mod 10=105 mod 10=5。（mod是求余运算符） 　　异构体、酶和混合物: 不同的同分异构体分子有不同的CAS号，比如右旋葡萄糖（D-glucos）的CAS号是50-99-7，左旋葡萄糖（L-glucose）是921-60-8，α右旋葡萄糖（α-D-glucose）是26655-34-5。 偶然也有一类分子用一个CAS号，比如一组乙醇脱氢酶（Alcohol dehydrogenase）的CAS号都是9031-72-5。混合物如芥末油（mustard oil）的CAS号是8007-40-7。 　　官方网站：http://www.cas.org/]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>CAS NO又称：CAS NO.\CAS Registry Number\CAS Number \CAS登录号</p>
<p>CAS NO是美国化学文摘服务社(Chemical Abstracts Service ,CAS)为化学物质制订的登记号，该号是检索有多个名称的化学物质信息的重要工具。是某种物质（化合物、高分子材料、生物序列（Biological sequences）、混合物或合金的唯一的数字识别号码。</p>
<p>　　美国化学会的下设组织CAS负责为每一种出现在文献中的物质分配一个CAS号，其目的是为了避免化学物质有多种名称的麻烦，使数据库的检索更为方便。如今几乎所有的化学数据库都允许用CAS号检索。到2005年12月25日，CAS已经登记了27,115,156种物质最新数据 ，并且还以每天4,000余种的速度增加。</p>
<p>格式 :一个CAS号以连字符“-”分为三部分，第一部分有2到6位数字，第二部分有2 位数字，第三部分有1位数字作为校验码。CAS号以升序排列且没有任何内在含义。校验码的计算方法如下：CAS顺序号（第一、二部分数字）的最后一位乘以1，最后第二位乘以2，依此类推，然后再把所有的乘积相加，再把和除以10，其余数就是第三部分的校验码。举例来说，水（H2O）的CAS号前两部分是7732-18，则其校验码=（8×1+1×2+2×3+3×4+7×5+7×6）mod 10=105 mod 10=5。（mod是求余运算符）</p>
<p>　　异构体、酶和混合物: 不同的同分异构体分子有不同的CAS号，比如右旋葡萄糖（D-glucos）的CAS号是50-99-7，左旋葡萄糖（L-glucose）是921-60-8，α右旋葡萄糖（α-D-glucose）是26655-34-5。 偶然也有一类分子用一个CAS号，比如一组乙醇脱氢酶（Alcohol dehydrogenase）的CAS号都是9031-72-5。混合物如芥末油（mustard oil）的CAS号是8007-40-7。</p>
<p>　　官方网站：http://www.cas.org/</p>
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		<title>胶粘剂基础知识</title>
		<link>http://pp808.cn/332.html</link>
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		<pubDate>Thu, 12 Jan 2012 01:59:53 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[电子胶水]]></category>
		<category><![CDATA[技术]]></category>
		<category><![CDATA[胶水]]></category>
		<category><![CDATA[胶粘剂]]></category>

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		<description><![CDATA[胶粘剂的定义和历史 定义：胶粘剂又称粘合剂，简称胶（bonding agent, adhesive），是使物体与另一物体紧密连接为一体的非金属媒介材料。在两个被粘物面之间胶粘剂只占很薄的一层体积，但使用胶粘剂完成胶接施工之后，所得胶接件在机械性能和物理化学性能方面，能满足实际需要的各项要求。能有效的将物料粘结在一起。 历史：考古学证据显示粘合剂的应用历史已经超过6000多年，我们可以看到在博物馆里展出的许多物体在经 过3000多年后依然由粘合剂固定在一起。进入20世纪，人类发明了应用高分子化学和石油化学制造的“合成粘结剂”，其种类繁多，粘结力强。产量也有了飞跃发展。 胶粘剂的应用和分类 应用：电子，汽车，工业，化工，建筑业等各个领域都有用到胶粘剂。 分类：胶粘剂种类繁多，组分各异，有不同的分类方法。 1 按化学类型分类 无机胶粘剂（sauereisen的高温水泥） 有机胶粘剂：分为天然胶粘剂和合成胶粘剂 合成胶粘剂按化学成分主要分为：Epoxy, PU, Silicone, Acrylic, etc. 2 按物理形态分类 水基型：基料分散于水中形成水溶液或乳液，水挥发而固化。 溶液型：基料在可挥发溶剂中配成一定黏度的溶液，靠溶剂挥发而固化。 膏状和糊状：基料在可挥发溶剂中配成高黏度的胶粘剂，用于密封和嵌缝。 固体型：把热塑性合成树脂制成粒状或块状，加热熔融，冷却时固化。 膜状：将胶粘剂涂于基材上，呈薄膜状胶带 3 按固化方式分类 热固化：通过加热的方式使粘合剂发生聚合反应而固化，温度和时间根据不同的产品有很大区别。 湿气固化：与空气中的水汽发生聚合反应达到固化。 UV固化：光引发剂紫外光照射下，形成自由基或阳离子从而引发粘合剂的聚合反应而固化。 厌氧固化：在隔绝空气的条件下，发生自由基聚合反应，空气存在会阻碍聚合反应。 催化固化：在催化剂作用下使粘合剂发生聚合反应达到固化。 4 按工艺分类 粘合剂（Adhesive）：特殊有导电胶，导热胶，芯片的粘结。 密封剂（Sealant） 灌封胶（Potting &#38; Encapsulation） 敷形涂敷（Conformal Coating） 底部填充胶（Underfill） 顶部包封（Glob Top） 5 按受力情况 （1）结构胶（2）非结构胶 常见胶粘剂的固化机理 1 环氧树脂（Epoxy） 固化机理：固化剂分两类：胺类及其衍生物，和酸酐类。 其中胺类固化剂是与高分子链中的环氧基发生开还聚合反应，酸酐类固化剂是与高分子链上的羟基发生酯化反应，最终都是形成三维网状结构。 常见的环氧树脂是：双酚A型最典型，线型甲酚型，酚醛环氧树脂等。 2 聚氨酯（PU） [...]]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p align="left">胶粘剂的定义和历史<br />
定义：胶粘剂又称粘合剂，简称胶（bonding agent, adhesive），是使物体与另一物体紧密连接为一体的非金属媒介材料。在两个被粘物面之间胶粘剂只占很薄的一层体积，但使用胶粘剂完成胶接施工之后，所得胶接件在机械性能和物理化学性能方面，能满足实际需要的各项要求。能有效的将物料粘结在一起。<br />
历史：考古学证据显示粘合剂的应用历史已经超过6000多年，我们可以看到在博物馆里展出的许多物体在经<br />
过3000多年后依然由粘合剂固定在一起。进入20世纪，人类发明了应用高分子化学和石油化学制造的“合成粘结剂”，其种类繁多，粘结力强。产量也有了飞跃发展。<br />
胶粘剂的应用和分类<br />
应用：电子，汽车，工业，化工，建筑业等各个领域都有用到胶粘剂。<br />
分类：胶粘剂种类繁多，组分各异，有不同的分类方法。<br />
1 按化学类型分类<br />
无机胶粘剂（sauereisen的高温水泥）<br />
有机胶粘剂：分为天然胶粘剂和合成胶粘剂<br />
合成胶粘剂按化学成分主要分为：Epoxy, PU, Silicone, Acrylic, etc.<br />
2 按物理形态分类<br />
水基型：基料分散于水中形成水溶液或乳液，水挥发而固化。<br />
溶液型：基料在可挥发溶剂中配成一定黏度的溶液，靠溶剂挥发而固化。<br />
膏状和糊状：基料在可挥发溶剂中配成高黏度的胶粘剂，用于密封和嵌缝。<br />
固体型：把热塑性合成树脂制成粒状或块状，加热熔融，冷却时固化。<br />
膜状：将胶粘剂涂于基材上，呈薄膜状胶带<br />
3 按固化方式分类<br />
热固化：通过加热的方式使粘合剂发生聚合反应而固化，温度和时间根据不同的产品有很大区别。<br />
湿气固化：与空气中的水汽发生聚合反应达到固化。<br />
UV固化：光引发剂紫外光照射下，形成自由基或阳离子从而引发粘合剂的聚合反应而固化。<br />
厌氧固化：在隔绝空气的条件下，发生自由基聚合反应，空气存在会阻碍聚合反应。<br />
催化固化：在催化剂作用下使粘合剂发生聚合反应达到固化。<br />
4 按工艺分类<br />
粘合剂（Adhesive）：特殊有导电胶，导热胶，芯片的粘结。<br />
密封剂（Sealant）<br />
灌封胶（Potting &amp; Encapsulation）<br />
敷形涂敷（Conformal Coating）<br />
底部填充胶（Underfill）<br />
顶部包封（Glob Top）<br />
5 按受力情况<br />
（1）结构胶（2）非结构胶<br />
常见胶粘剂的固化机理<br />
1 环氧树脂（Epoxy）<br />
固化机理：固化剂分两类：胺类及其衍生物，和酸酐类。<br />
其中胺类固化剂是与高分子链中的环氧基发生开还聚合反应，酸酐类固化剂是与高分子链上的羟基发生酯化反应，最终都是形成三维网状结构。<br />
常见的环氧树脂是：双酚A型最典型，线型甲酚型，酚醛环氧树脂等。<br />
2 聚氨酯（PU）<br />
无溶剂型单组分聚氨酯：是以一NCO为端基的聚氨酯预聚物为主体的聚氨酯胶粘剂。<br />
固化机理：水气固化。利用空气中微量水分及基材表面微量吸附水而固化，还可与基材表面活性氢基团反应形成牢固的化学键。<br />
溶剂型单组分聚氨酯：以热塑性聚氨酯弹性体为主体的聚氨酯胶粘剂，主成分为高分子量端OH基线型聚氨酯，羟基数很小。<br />
固化机理：通过溶剂挥发达到固化。加热可促进固化。当溶剂开始挥发时胶的粘度迅速增加，产生初粘力。当溶剂基本上完全挥发后，就产生了足够的粘接力，经过室温放置，多数该类型聚氨酯弹性体中链段结晶，可进一步提高粘接强度。这种类型的单组分聚氨酯胶一般以结晶性聚酯作为聚氨酯的主要原料。<br />
双组分聚氨酯胶粘剂：主剂一般为聚氨酯多元醇或高分子聚酯多元醇。<br />
固化机理：通过化学反应实现固化。含端NCO基团的固化剂与主剂中的活性氢羟基发生交联反应而固化。两组分的配比以固化剂稍过量，即有微量NCO基团过剩为宜，如此可弥补可能的水分造成的NCO损失，保证胶粘剂产生足够的交联反应。<br />
3 常见异氰酸酯：MDI, TDI（在不影响性能的情况下，能用MDI，就不再用TDI）<br />
TDI沸点低，易挥发，毒性很大。MDI毒性很小，挥发很少，应用比较安全。<br />
4 硅胶（silicone）<br />
硅橡胶按其硫化机理可分为：加热硫化型、室温硫化型（缩合型）和加成反应型三大类。<br />
加热硫化硅胶：基础胶料是高分子量的聚硅氧烷，以过氧化物为交联剂。<br />
机理：过氧化物引发的自由基交联反应。<br />
室温硫化硅胶：基础胶料是羟基封端的低分子量聚硅氧烷。<br />
室温硫化硅胶按包装形式可分为单组分和双组分两种。<br />
单组分室温硫化硅胶固化机理：<br />
是胶料中的羟基遇到空气中的水气，水解成不稳定的羟基，再与交联剂发生缩合反应。按照交联剂类型不同可以分为以下几种：<br />
（1）脱醋酸型（2）脱肟型（3）脱醇型（4）脱丙酮型<br />
双组分室温硫化硅胶固化机理：<br />
缩合型机理：胶料中的羟基在催化剂（有机锡盐，如二丁基二月桂酸锡、辛酸亚锡等）作用下与交联剂（烷氧基硅烷类，如正硅酸乙酯或其部分水解物）上的烷氧基缩合反应而成。以脱醇型最为常见。<br />
加成型机理：在催化剂的作用下，发生加成交联。固化过程没有副产物，但易催化剂中毒。<br />
5 丙烯酸（Acrylic）<br />
固化机理：在光或热作用下，引发剂作用下促使丙烯酸中的双键打开，进行自由基链式加成反应。还可以氧化固化：在氧气作用下引发自由基链式聚合反应。<br />
6 氰基丙烯酸盐的粘合剂（CA）既瞬干胶<br />
固化机理：固化时基材表面要有一定的湿度，湿气中和酸性稳定剂后，单体在水气的作用下，在基材表面发生阴离子聚合反应。<br />
从固化机理可以看出：升高温度不会加快瞬干胶的固化，因为温度高，湿度就小，就不能快速完全的破坏酸性稳定剂。<br />
7 厌氧胶的固化机理<br />
是自由基聚合反应，氧气的存在会起阻聚作用。其阻聚机理：引发剂引发单体产生自由基后，容易吸收氧再与另一自由基结合，生成稳定的过氧化物；隔绝氧气后，能迅速进行自由基聚合，实现固化。<br />
8 UV固化机理<br />
紫外线丙烯酸型：光引发化剂在紫外光照射下形成自由基，自由基引发丙烯酸单体聚合。<br />
紫外线阳离子（环氧）型：光引发化剂在紫外光照射下形成阳离子，阳离子引发环氧链接形成聚合物。<br />
前者存在氧气抑制作用：生成的自由基会和氧气反应，影响聚合反应的速率。<br />
后者会受湿气影响：空气中的水汽或碱性表面会终止阳离子的活性，影响反应速率。<br />
不同化学类型粘合剂的主要优缺点<br />
环氧树脂<br />
优点：<br />
1 力学性能高。环氧树脂内聚力强，化学结构致密。<br />
2 粘结性能优异。<br />
3 固化体积收缩率小。线胀系数也很小，因此内应力小<br />
4 工艺性好。固化时基本不产生低分子量挥发物。<br />
5 电性能好。<br />
6 稳定性好。不含盐，碱等杂质，一般不会变质。<br />
7 耐热性一般。<br />
缺点：<br />
1 不增韧时，固化物一般偏脆，抗剥离、抗开裂、抗冲击性能差。<br />
2 对极性小的材料（如PP、PP、氟塑料等）粘接力小。必须先进行表面活化处理。<br />
3 有些原材料如活性稀释剂、固化剂等有不同程度的毒性和刺激性<br />
聚氨酯<br />
优点：<br />
1 硬度范围宽。邵A15~邵D90<br />
2 机械性能高<br />
3 耐磨，抗冲击性高。<br />
4 低温柔韧性好。<br />
5 弹性好。<br />
6 耐候性，耐油性好<br />
7 耐生物老化<br />
缺点：高温，高湿条件易水解<br />
硅胶<br />
优点：<br />
1 好的电性能。<br />
2 适用的温度范围宽（-50, -100~+200）。<br />
3 柔韧性好，应力低。<br />
4 固化时不放热5低毒。<br />
6 固化后收缩性小。<br />
7 化学性质稳定，耐腐蚀。<br />
8 耐臭氧，耐候性好。<br />
9 憎水性。<br />
弱点：<br />
1 粘结性能相对于Epoxy较差。<br />
2 相对于Epoxy，硬度也较低。<br />
3 会有固化抑制或固化中毒的现象。<br />
固化剂中毒：指胶体部分不固化或者整个胶体不固化。产生的原因是某些材料、化合物、固化剂和增塑剂会阻碍有机硅的固化。主要包括：有机锡和其他金属有机化合物；含有机锡催化剂的硅酮橡胶；硫，聚硫类，聚砜类或其他含硫化合物；胺，氨基甲酸乙酯或其他含胺物品；不饱和的炭氢增塑剂；一些助焊剂残余物。<br />
解决方法是用清洗剂清洗要粘接和涂敷的表面，然后再点胶。<br />
粘结的过程<br />
1 润湿：为使被粘物表面易被润湿，需清洗处理，除去油污。<br />
2 粘胶剂分子的移动和扩散：胶粘剂分子按布朗运动的规律向被粘物表面移动。<br />
3 粘胶剂的渗透：粘接时胶粘剂向被粘物的缝隙渗透，从而增大了接触面积。<br />
4 物理化学结合：化学键结合，范德华力结合。<br />
粘结强度的影响因素<br />
粘接接头的强度取决于三个基本因素：<br />
1 胶粘剂的内聚强度。<br />
2 被粘材料的内聚强度。<br />
3 胶粘剂与被粘材料之间的粘合力。</p>
<p>图1：不同分子之间的吸引力</p>
<p>图2：相同分子之间的吸引力<br />
基材条件：<br />
1 基材（表面能）：表面能越大，基材润湿性越好，越易粘结。<br />
2 表面粗糙程度/间隙：要有一定的粗糙度，金属表面还应去除氧化膜。<br />
3 表面的清洁：表面需除去污渍和油脂等污染物。<br />
工序条件：<br />
时间，温度，压力，湿度等<br />
润湿的机理</p>
<p>图3：润湿机理<br />
θ：为接触角<br />
接触角越小，润湿越好<br />
不同基材的表面能<br />
金属（高表面能）：<br />
–钢，铜，铁，铝等等。<br />
高表面能量塑料：<br />
–聚碳酸酯，丙稀氰/丁二烯/苯乙稀共聚物，丙烯酸酯等。<br />
低表面能量塑料：<br />
–聚丙烯（PP），聚乙烯（PE），铁弗龙（PTFE聚四氟乙烯），硅橡胶等。<br />
表面能比较低的基材的粘结一般要进行表面处理，需要打底涂剂。<br />
TDS常见术语<br />
粘度viscosity：量度流体内部阻止流动的阻力Water=1Cps（水）Honey=8,000–10,000Cps（蜂蜜）。<br />
触变性thixotropy：流体由于受力运动（例如搅拌）而引起粘度变化但静置能复原的性质。<br />
表观密度Specific Gravity：一给定体积的物质相对于相同体积的水的密度。<br />
硬度Durometer Hardness：胶水的硬度高低通常用肖氏硬度（Shore）来表示，硬度高的通常用Shore DXX表示，Shore A和Shore D也可以换算的，ShoreD30相当于Shore A80，肖氏硬度的测试方法：用肖氏硬度计插入被测材料，表盘上的指针通过弹簧与一个刺针相连，用针刺入被测物表面，表盘上所显示的数值即为硬度值。<br />
Physical Properties：<br />
抗张强度（Tension Strength）<br />
剪切强度（Shear Strength）<br />
剥离强度（Peer Strength）<br />
压缩强度（Compression Strength）<br />
劈裂强度（Cleavage Strength）<br />
关于这些概念我们可以看一下他们的受力情况：</p>
<p>图4：Bond line in compression</p>
<p align="left">
图5：Bond line in tension</p>
<p>图6：Bond line in peer</p>
<p>图7：Bond line in shear</p>
<p>图8：Bond line in cleavage<br />
Thermal Properties：<br />
热膨胀系数（CTE）：单位为in/in-F时表示：每一英寸长度物体在温度每变化一华氏度时，其长度变化的英寸量。单位为ppm/°C时表示温度每变化1°C材料长度变化的百分率。<br />
玻璃转化温度（Tg）：玻璃转化温度是聚合物的特有属性，当环境温度高于Tg时聚合物成橡胶（塑）态，柔软而有弹性；当环境温度低于Tg时聚合物成玻璃态。硬而缺乏弹性。<br />
Electrical Properties：<br />
介电强度（Dielectric Strength）：单位为伏特/密耳或千伏/毫米，一个绝缘物体最高能承受的最高电压。如果超过这个值，那么就会出现击穿。<br />
介电常数（Dielectric Constant）：介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场（真空中）与最终介质中电场比值即为介电常数（permeability），又称诱电率。如果有高介电常数的材料放在电场中，场的强度会在电介质内有可观的下降。真空介电常数为1。<br />
介质损耗（Dissipation Factor）：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。<br />
体电阻率（Volume Resistivity）：平行材料中电流方向的电位梯度与电流密度之比，用欧姆•厘米表示。<br />
绝缘电阻（Insulation Resistance）：加直流电压于电介质，经过一定时间极化过程结束后，流过电介质的泄漏电流对应的电阻称绝缘电阻。</p>
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		<title>环氧树脂电子封装材料的技术开发方向</title>
		<link>http://pp808.cn/329.html</link>
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		<pubDate>Thu, 12 Jan 2012 01:49:21 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[电子胶水]]></category>
		<category><![CDATA[胶水]]></category>
		<category><![CDATA[胶粘剂]]></category>

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		<description><![CDATA[随着半导体技术的飞速发展，对封装材料的要求也越来越高，以前应用的普通环氧树脂已不能完全满足技术要求。目前国外对环氧树脂的技术改进主要集中在以下两个方面。     1、低粘度化 用环氧树脂封装成型的半导体器件是由不同的线膨胀系数的材料组成的。在封装器件内部，由于成型固化收缩和热收缩而产生的热应力，是强度下降、老化开裂、封装裂纹、空洞、钝化、离层等各种缺陷的主要原因。而低粘度化的主要目的就是降低封装树脂的内应力，使其具有高填充性和可靠性，以使封装器件具有高可靠性。可采用的方法主要有三种：(1)降低封装材料的玻璃化温度；(2)降低封装材料的模量；(3)降低封装材料的线膨胀系数。但是当采用上述方法(1)、(2)时，在降低玻璃化温度的同时，也降低了封装材料的耐热性，最后的结果是封装器件的可靠性也降低了。比较而言，方法(3)是比较理想的，现在已成为降低内应力的主要方法。该方法通常是在环氧树脂中添加大量的二氧化硅之类的无机填充剂粉末，大幅度降低封装材料的线膨胀系数，达到降低内应力的目的。为了使填充的大量无机填充剂均匀，要求环氧树脂粘度低或熔融粘度低，只有这样才能使封装材料具有优良的流动性，使封装器件实现小型、薄型化，既具有高性能，又具有低应力。      2、提高耐热性、降低吸水串 近年来，随着电子领域高密度安装技术的迅速发展，采用薄型化封装的越来越多。但是当这种薄型封装器件安装到印刷线路板上时，要把封装件整体放到锡浴中浸渍，这种焊接工艺要经受200℃以上的高温，此外，在航天航空、国防等高科技领域，由于使用环境的恶劣，要求封装材料必须具备高耐热性。为了提高封装材料的耐热性，一般是要提高封装材料的交联度。另外，在环氧树脂的结构中导入奈环、恿环等多环基，或者在二聚环戊二烯骨架中导入酚基也可达到提高耐热性的目的。很显然多官能团型的环氧树脂是有利于提高封装材料的交联度的。 随着封装器件的高性能化，要求环氧树脂不仅要具有高耐热性，还必须具有低吸水率。如果所用环氧树脂封装材料的耐湿性不好，则封装件金属配线易被腐蚀钝化；另一方面，如果封装件处在高温高湿环境中，则水分易从封装材料和引出线框界面或孔隙处浸入，使配线结构产生松动等不良缺陷。为了降低封装材料的吸水率，在环氧树脂结构中尽量减少经基和醚基等极性大的基团浓度，导入极性小的C—H键和憎水性较大的含硅和含氟结构。 提高耐热性和降低吸水率是一对矛盾。因为提高封装材料的耐热性，一般是要提高封装材料的交联度。但是，封装材料的自由体积也增加了，导致吸水率也提高了。这就需要在二者中找到最佳平衡值，既使封装材料具有高耐热性，又具有低吸水率。经实验证明：最好采用官能团数多，分子量大的原料与环氧氯丙烷反应后形成缩水甘油醚，这类原料包括联苯、荣和脂肪族多环化合物(如二聚环戊二烯)。此外，添加填料对防止水分渗透是有利的，但是增加填料含量是有限度的，太多的填料容易引起塑封料熔融粘度上升，影响到塑封料的成型性能。        环氧树脂在电子封装材料中有着极其重要的作用，但是为了适应半导体技术的飞速发展，封装材料技术也在不断地进步。目前国外高性能封装材料的需求和开发正向以下两个方面发展：(1)开发低粘度或熔融粘度低的二官能团型的环氧树脂，通过填充高含量无机填充剂，大幅度降低封装器件的内应力，减少钝化开裂、配线松动和导线断裂等不良缺陷；(2)开发多功能团型的环氧树脂，同时在环氧树脂中导入耐热和耐湿结构的化合物，使封装器件既具有高耐热性，又具有低吸水率和低的内应力。]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>随着半导体技术的飞速发展，对封装材料的要求也越来越高，以前应用的普通环氧树脂已不能完全满足技术要求。目前国外对环氧树脂的技术改进主要集中在以下两个方面。</p>
<p>    1、低粘度化 用环氧树脂封装成型的半导体器件是由不同的线膨胀系数的材料组成的。在封装器件内部，由于成型固化收缩和热收缩而产生的热应力，是强度下降、老化开裂、封装裂纹、空洞、钝化、离层等各种缺陷的主要原因。而低粘度化的主要目的就是降低封装树脂的内应力，使其具有高填充性和可靠性，以使封装器件具有高可靠性。可采用的方法主要有三种：(1)降低封装材料的玻璃化温度；(2)降低封装材料的模量；(3)降低封装材料的线膨胀系数。但是当采用上述方法(1)、(2)时，在降低玻璃化温度的同时，也降低了封装材料的耐热性，最后的结果是封装器件的可靠性也降低了。比较而言，方法(3)是比较理想的，现在已成为降低内应力的主要方法。该方法通常是在环氧树脂中添加大量的二氧化硅之类的无机填充剂粉末，大幅度降低封装材料的线膨胀系数，达到降低内应力的目的。为了使填充的大量无机填充剂均匀，要求环氧树脂粘度低或熔融粘度低，只有这样才能使封装材料具有优良的流动性，使封装器件实现小型、薄型化，既具有高性能，又具有低应力。</p>
<p>     2、提高耐热性、降低吸水串 近年来，随着电子领域高密度安装技术的迅速发展，采用薄型化封装的越来越多。但是当这种薄型封装器件安装到印刷线路板上时，要把封装件整体放到锡浴中浸渍，这种焊接工艺要经受200℃以上的高温，此外，在航天航空、国防等高科技领域，由于使用环境的恶劣，要求封装材料必须具备高耐热性。为了提高封装材料的耐热性，一般是要提高封装材料的交联度。另外，在环氧树脂的结构中导入奈环、恿环等多环基，或者在二聚环戊二烯骨架中导入酚基也可达到提高耐热性的目的。很显然多官能团型的环氧树脂是有利于提高封装材料的交联度的。 随着封装器件的高性能化，要求环氧树脂不仅要具有高耐热性，还必须具有低吸水率。如果所用环氧树脂封装材料的耐湿性不好，则封装件金属配线易被腐蚀钝化；另一方面，如果封装件处在高温高湿环境中，则水分易从封装材料和引出线框界面或孔隙处浸入，使配线结构产生松动等不良缺陷。为了降低封装材料的吸水率，在环氧树脂结构中尽量减少经基和醚基等极性大的基团浓度，导入极性小的C—H键和憎水性较大的含硅和含氟结构。 提高耐热性和降低吸水率是一对矛盾。因为提高封装材料的耐热性，一般是要提高封装材料的交联度。但是，封装材料的自由体积也增加了，导致吸水率也提高了。这就需要在二者中找到最佳平衡值，既使封装材料具有高耐热性，又具有低吸水率。经实验证明：最好采用官能团数多，分子量大的原料与环氧氯丙烷反应后形成缩水甘油醚，这类原料包括联苯、荣和脂肪族多环化合物(如二聚环戊二烯)。此外，添加填料对防止水分渗透是有利的，但是增加填料含量是有限度的，太多的填料容易引起塑封料熔融粘度上升，影响到塑封料的成型性能。</p>
<p>       环氧树脂在电子封装材料中有着极其重要的作用，但是为了适应半导体技术的飞速发展，封装材料技术也在不断地进步。目前国外高性能封装材料的需求和开发正向以下两个方面发展：(1)开发低粘度或熔融粘度低的二官能团型的环氧树脂，通过填充高含量无机填充剂，大幅度降低封装器件的内应力，减少钝化开裂、配线松动和导线断裂等不良缺陷；(2)开发多功能团型的环氧树脂，同时在环氧树脂中导入耐热和耐湿结构的化合物，使封装器件既具有高耐热性，又具有低吸水率和低的内应力。</p>
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		<title>ACF异方性导电胶</title>
		<link>http://pp808.cn/325.html</link>
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		<pubDate>Thu, 12 Jan 2012 01:41:15 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[电子胶水]]></category>
		<category><![CDATA[工艺]]></category>
		<category><![CDATA[技术]]></category>
		<category><![CDATA[电子胶]]></category>
		<category><![CDATA[胶粘剂]]></category>
		<category><![CDATA[银胶]]></category>

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		<description><![CDATA[ACF的组成主要包含导电粒子及绝缘胶材两部分，上下各有一层保护膜来保护主成分。使用时先将上膜（Cover Film）撕去，将ACF胶膜贴附至Substrate的电极上，再把另一层PET底膜（Base Film）也撕掉。在精准对位后将上方物件与下方板材压合，经加热及加压一段时间后使绝缘胶材固化，最后形成垂直导通、横向绝缘的稳定结构。 　ACF主要应用在无法透过高温铅锡焊接的制程，如FPC、Plastic Card及LCD等之线路连接，其中尤以驱动IC相关应用为大宗。举凡TCP/COF封装时连接至LCD之OLB（Outer Lead Bonding）以及驱动IC接着于TCP/COF载板的ILB（Inner Lead Bonding）制程，亦或采COG封装时驱动IC与玻璃基板接合之制程，目前均以ACF导电胶膜为主流材料。 　■驱动IC脚距缩小　ACF架构须持续改良以提升横向绝缘之特性 　ACF中之导电粒子扮演垂直导通的关键角色，胶材中导电粒子数目越多或导电粒子的体积越大，垂直方向的接触电阻越小，导通效果也就越好。然而，过多或过大的导电粒子可能会在压合的过程中，在横向的电极凸块间彼此接触连结，而造成横向导通的短路，使得电气功能不正常。 　随着驱动IC的脚距（Pitch）持续微缩，横向脚位电极之凸块间距（Space）也越来越窄，大大地增加ACF在横向绝缘的难度。为了解决这个问题，许多ACF结构已陆续被提出，以下针对目前两大领导厂商的主要架构做介绍： 　1. Hitachi Chemical的架构 　为了降低横向导通的机率，Hitachi使用了两个方法，其一是导入两层式结构，两层式的ACF产品上层不含导电粒子而仅有绝缘胶材，下层则仍为传统ACF胶膜结构。透过双层结构的使用，可以降低导电粒子横向触碰的机率。然而，双层结构除了加工难度提高之外，由于下层ACF膜的厚度须减半，导电粒子的均匀化难度也提高。 　目前，双层结构的ACF胶膜为Hitachi Chemical的专利。除了双层结构之外，Hitachi也使用绝缘粒子，将绝缘粒子散布在导电粒子周围。当脚位金凸块下压时，由于绝缘粒子的直径远小于导电粒子，因此绝缘粒子在垂直压合方向不会影响导通；但在横向空间却有降低导电粒子碰触的机会。 　2.Sony Chemical的架构 　Sony Chemical的方法是在导电粒子的表层吸附一些细微颗粒之树脂，目的在使导电粒子的表面产生一层具绝缘功能的薄膜结构。此结构的特性是，粒子外围的绝缘薄膜在凸块接点热压合时将被破坏，使得垂直方向导通；至于横向空间的导电粒子绝缘膜则将持续存在，如此即可避免横向粒子直接碰触而造成短路的现象。 　Sony架构的缺点是，当导电粒子的绝缘薄膜在热压合时若破坏不完全，将使得垂直方向的接触电阻变大，就会影响ACF的垂直导通特性。目前该结构的专利属于Sony Chemical。 　除了上述以结构改良的方式来避免横向绝缘失效以外，透过导电粒子的直径缩小也可达成部分效果。导电粒子的直径已从过去12um一路缩小至目前的3um，主要就在配合Fine Pitch的要求。随着粒径的缩小，粒径及金凸块厚度的误差值也必须同步降低，目前粒径误差值已由过去的±1um降低至±0.2um。 　随着驱动IC细脚距的要求，金凸块的最小间距也持续压低，目前凸块厂商已经可以做到20um左右的凸块脚距。20um的脚距已使ACF横向绝缘的特性备受挑战，Fine Pitch的技术瓶颈压力似乎已经落在ACF胶材的身上了。 　■驱动IC外型窄长化　ACF胶材之固化温度须持续降低　以减少Warpage效应 　当驱动IC以COG形式贴附在LCD玻璃基板上时，为避免占用太多LCD面板的额缘面积，并同时减少IC数目以降低成本，使得驱动IC持续朝多脚数及窄长型的趋势来发展。然而，LCD无碱玻璃的膨胀系数约4ppm/℃远高于IC的3ppm/℃，当ACF胶材加热至固化温度反应后再降回室温时，IC与玻璃基板将因收缩比例不一致而使产生翘曲的情况，此即Warpage效应。Warpage效应将使ACF垂直导通的效果变差，严重时更将产生Mura。Mura即画面显示因亮度不均而出现各种亮暗区块的现象。 　为降低Warpage效应，目前解决方案主要仍朝降低ACF的固化温度来着手。以膨胀系数的单位ppm/℃来看，假使ACF固化温度与室温的差距降低，作业过程中IC及玻璃基板产生热胀冷缩的差距比就会越小，Warpage效应也将降低。 　ACF固化温度之特性主要受到绝缘胶材的成分所影响。绝缘胶材成分目前以B-Stage（胶态）之环氧树脂加上硬化剂为主流，惟各家配方仍多有差异。在胶材成分方面虽然较无专利侵权的问题，但种类及成分对产品之特性影响重大，故各家厂商均视配方为机密。ACF的许多规格如硬化速度、黏度流变性、接着强度乃至于ACF固化温度等，莫不受到绝缘胶材的成分所决定。目前在诸多特性之中，降低ACF固化温度已成为各家厂商最重要的努力方向，此特性也是关乎厂商技术高低的重要指标。 　■ACF主要规格 　投入ACF产品的日商计有Hitachi Chemical、Sony Chemical、Asahi Kasei及Sumitomo等；韩商则有LG Cable、SK Chemical及MLT等；国内厂商目前较积极的有玮锋，公司技术来自于工研院。ACF价格成本仅占LCD模块约1％的比重，价格低但对面板质量却有决定性的影响，故面板厂更换新品的诱因较小。目前全球ACF市场由Hitachi Chemical及Sony Chemical所垄断，两家合计市占率超过九成以上。以下仅对两家领导厂商之主要产品规格做介绍。 　■ACF适用Pitch之换算 　由上表中可以发现，应用于金凸块接合的ACF规格中，找不到我们最关心的最小适用脚距数据。最小适用脚距除了决定于横向绝缘特性，此部份受到间距（Space）所影响外，尚须考虑垂直导通的要求。垂直导通效果的主要关键则在于金凸块接点可捕捉压合多少颗的导电粒子。由此可知，导电粒子密度及金凸块的电极面积为主要的影响因素。因此，要得知ACF的最小适用脚距就必须从规格表中的最小电极面积来着手。 　以长宽比（Aspect Ratio）为7：1的金凸块为例，我们可以由最小电极面积（假设为A）推出最小电极宽度为（A/7）的平方根，将最小电极宽度加上最小间距，即可得到ACF的最小适用脚距。经由换算结果，在金凸块长宽比7：1的驱动IC应用下，Hitachi之AC-8604（COG）适用脚距30um、AC8408（COG）适用脚距30um、AC-217（COF）适用脚距25um；Sony之CP6030ID（COG）脚距限制则为35um。 　由上列计算公式可以推知，金凸块的Aspect Ratio越大，ACF的最小适用脚距将越小。因此，金凸块厂在Fine Pitch的角色除了须将凸块的间距做小之外，也须提高金凸块的长宽比。 　■不同的导电粒子各有其适用产品 　导电粒子的种类可分为碳黑、金属球及外镀金属之树脂球等。碳黑为早期产品，目前使用已不多。金属球则以镍球为大宗，优点在于其高硬度、低成本，尖角状突起可插入接点中以增加接触面积；缺点则在其可能破坏脆弱的接点、容易氧化而影响导通等。为克服镍球之氧化问题，可在镍球表面镀金而成为镀金镍球。目前镍球之导电粒子多用于与PCB之连接，LCD面板之ITO电极连接则不适用，主要原因在于金属球质硬且多尖角，怕其对ITO线路造成损伤。 　用于LCD Glass之ACF胶膜以镀金镍之树脂球为主流，由于树脂球具弹性，不但不会伤害ITO线路，且在加压胶合的过程中，球体将变形呈椭球状以增加接触面积。另外，外层涂布绝缘树脂之镀金镍树脂球属于Sony的专利，由于生产成本较高，该公司会根据不同应用给于适当参杂以节省成本。 　■温度、压力、时间为压合固化之三要素 　B-Stage（胶态）之ACF在加压加温至固化温度且历经一段时间后，绝缘胶材将反应成C-Stage（固态）。ACF在反应成固态后，内部导电粒子的相对位置及形变将定型，硬化之胶材也可担任Underfill的脚色，对内部电极接点形成保护的效果。在将ACF压合固化的三条件当中，温度与时间最为厂商所重视，温度参数如前述将影响Warpage效应；时间参数则直接影响工厂的生产效率。 　由Hitachi及Sony [...]]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>ACF的组成主要包含导电粒子及绝缘胶材两部分，上下各有一层保护膜来保护主成分。使用时先将上膜（Cover Film）撕去，将ACF胶膜贴附至Substrate的电极上，再把另一层PET底膜（Base Film）也撕掉。在精准对位后将上方物件与下方板材压合，经加热及加压一段时间后使绝缘胶材固化，最后形成垂直导通、横向绝缘的稳定结构。</p>
<p>　ACF主要应用在无法透过高温铅锡焊接的制程，如FPC、Plastic Card及LCD等之线路连接，其中尤以驱动IC相关应用为大宗。举凡TCP/COF封装时连接至LCD之OLB（Outer Lead Bonding）以及驱动IC接着于TCP/COF载板的ILB（Inner Lead Bonding）制程，亦或采COG封装时驱动IC与玻璃基板接合之制程，目前均以ACF导电胶膜为主流材料。</p>
<p>　■<strong>驱动</strong><strong>IC</strong><strong>脚距缩小　</strong><strong>ACF</strong><strong>架构须持续改良以提升横向绝缘之特性</strong></p>
<p>　ACF中之导电粒子扮演垂直导通的关键角色，胶材中导电粒子数目越多或导电粒子的体积越大，垂直方向的接触电阻越小，导通效果也就越好。然而，过多或过大的导电粒子可能会在压合的过程中，在横向的电极凸块间彼此接触连结，而造成横向导通的短路，使得电气功能不正常。</p>
<p>　随着驱动IC的脚距（Pitch）持续微缩，横向脚位电极之凸块间距（Space）也越来越窄，大大地增加ACF在横向绝缘的难度。为了解决这个问题，许多ACF结构已陆续被提出，以下针对目前两大领导厂商的主要架构做介绍：</p>
<p>　1. Hitachi Chemical的架构</p>
<p>　为了降低横向导通的机率，Hitachi使用了两个方法，其一是导入两层式结构，两层式的ACF产品上层不含导电粒子而仅有绝缘胶材，下层则仍为传统ACF胶膜结构。透过双层结构的使用，可以降低导电粒子横向触碰的机率。然而，双层结构除了加工难度提高之外，由于下层ACF膜的厚度须减半，导电粒子的均匀化难度也提高。</p>
<p>　目前，双层结构的ACF胶膜为Hitachi Chemical的专利。除了双层结构之外，Hitachi也使用绝缘粒子，将绝缘粒子散布在导电粒子周围。当脚位金凸块下压时，由于绝缘粒子的直径远小于导电粒子，因此绝缘粒子在垂直压合方向不会影响导通；但在横向空间却有降低导电粒子碰触的机会。</p>
<p>　2.Sony Chemical的架构</p>
<p>　Sony Chemical的方法是在导电粒子的表层吸附一些细微颗粒之树脂，目的在使导电粒子的表面产生一层具绝缘功能的薄膜结构。此结构的特性是，粒子外围的绝缘薄膜在凸块接点热压合时将被破坏，使得垂直方向导通；至于横向空间的导电粒子绝缘膜则将持续存在，如此即可避免横向粒子直接碰触而造成短路的现象。</p>
<p>　Sony架构的缺点是，当导电粒子的绝缘薄膜在热压合时若破坏不完全，将使得垂直方向的接触电阻变大，就会影响ACF的垂直导通特性。目前该结构的专利属于Sony Chemical。</p>
<p>　除了上述以结构改良的方式来避免横向绝缘失效以外，透过导电粒子的直径缩小也可达成部分效果。导电粒子的直径已从过去12um一路缩小至目前的3um，主要就在配合Fine Pitch的要求。随着粒径的缩小，粒径及金凸块厚度的误差值也必须同步降低，目前粒径误差值已由过去的±1um降低至±0.2um。</p>
<p>　随着驱动IC细脚距的要求，金凸块的最小间距也持续压低，目前凸块厂商已经可以做到20um左右的凸块脚距。20um的脚距已使ACF横向绝缘的特性备受挑战，Fine Pitch的技术瓶颈压力似乎已经落在ACF胶材的身上了。</p>
<p>　■<strong>驱动</strong><strong>IC</strong><strong>外型窄长化　</strong><strong>ACF</strong><strong>胶材之固化温度须持续降低　以减少</strong><strong>Warpage</strong><strong>效应</strong></p>
<p>　当驱动IC以COG形式贴附在LCD玻璃基板上时，为避免占用太多LCD面板的额缘面积，并同时减少IC数目以降低成本，使得驱动IC持续朝多脚数及窄长型的趋势来发展。然而，LCD无碱玻璃的膨胀系数约4ppm/℃远高于IC的3ppm/℃，当ACF胶材加热至固化温度反应后再降回室温时，IC与玻璃基板将因收缩比例不一致而使产生翘曲的情况，此即Warpage效应。Warpage效应将使ACF垂直导通的效果变差，严重时更将产生Mura。Mura即画面显示因亮度不均而出现各种亮暗区块的现象。</p>
<p>　为降低Warpage效应，目前解决方案主要仍朝降低ACF的固化温度来着手。以膨胀系数的单位ppm/℃来看，假使ACF固化温度与室温的差距降低，作业过程中IC及玻璃基板产生热胀冷缩的差距比就会越小，Warpage效应也将降低。</p>
<p>　ACF固化温度之特性主要受到绝缘胶材的成分所影响。绝缘胶材成分目前以B-Stage（胶态）之环氧树脂加上硬化剂为主流，惟各家配方仍多有差异。在胶材成分方面虽然较无专利侵权的问题，但种类及成分对产品之特性影响重大，故各家厂商均视配方为机密。ACF的许多规格如硬化速度、黏度流变性、接着强度乃至于ACF固化温度等，莫不受到绝缘胶材的成分所决定。目前在诸多特性之中，降低ACF固化温度已成为各家厂商最重要的努力方向，此特性也是关乎厂商技术高低的重要指标。</p>
<p>　■<strong>ACF</strong><strong>主要规格</strong></p>
<p>　投入ACF产品的日商计有Hitachi Chemical、Sony Chemical、Asahi Kasei及Sumitomo等；韩商则有LG Cable、SK Chemical及MLT等；国内厂商目前较积极的有玮锋，公司技术来自于工研院。ACF价格成本仅占LCD模块约1％的比重，价格低但对面板质量却有决定性的影响，故面板厂更换新品的诱因较小。目前全球ACF市场由Hitachi Chemical及Sony Chemical所垄断，两家合计市占率超过九成以上。以下仅对两家领导厂商之主要产品规格做介绍。</p>
<p>　■<strong>ACF</strong><strong>适用</strong><strong>Pitch</strong><strong>之换算</strong></p>
<p>　由上表中可以发现，应用于金凸块接合的ACF规格中，找不到我们最关心的最小适用脚距数据。最小适用脚距除了决定于横向绝缘特性，此部份受到间距（Space）所影响外，尚须考虑垂直导通的要求。垂直导通效果的主要关键则在于金凸块接点可捕捉压合多少颗的导电粒子。由此可知，导电粒子密度及金凸块的电极面积为主要的影响因素。因此，要得知ACF的最小适用脚距就必须从规格表中的最小电极面积来着手。</p>
<p>　以长宽比（Aspect Ratio）为7：1的金凸块为例，我们可以由最小电极面积（假设为A）推出最小电极宽度为（A/7）的平方根，将最小电极宽度加上最小间距，即可得到ACF的最小适用脚距。经由换算结果，在金凸块长宽比7：1的驱动IC应用下，Hitachi之AC-8604（COG）适用脚距30um、AC8408（COG）适用脚距30um、AC-217（COF）适用脚距25um；Sony之CP6030ID（COG）脚距限制则为35um。</p>
<p>　由上列计算公式可以推知，金凸块的Aspect Ratio越大，ACF的最小适用脚距将越小。因此，金凸块厂在Fine Pitch的角色除了须将凸块的间距做小之外，也须提高金凸块的长宽比。</p>
<p>　■<strong>不同的导电粒子各有其适用产品</strong></p>
<p>　导电粒子的种类可分为碳黑、金属球及外镀金属之树脂球等。碳黑为早期产品，目前使用已不多。金属球则以镍球为大宗，优点在于其高硬度、低成本，尖角状突起可插入接点中以增加接触面积；缺点则在其可能破坏脆弱的接点、容易氧化而影响导通等。为克服镍球之氧化问题，可在镍球表面镀金而成为镀金镍球。目前镍球之导电粒子多用于与PCB之连接，LCD面板之ITO电极连接则不适用，主要原因在于金属球质硬且多尖角，怕其对ITO线路造成损伤。</p>
<p>　用于LCD Glass之ACF胶膜以镀金镍之树脂球为主流，由于树脂球具弹性，不但不会伤害ITO线路，且在加压胶合的过程中，球体将变形呈椭球状以增加接触面积。另外，外层涂布绝缘树脂之镀金镍树脂球属于Sony的专利，由于生产成本较高，该公司会根据不同应用给于适当参杂以节省成本。</p>
<p>　■<strong>温度、压力、时间为压合固化之三要素</strong></p>
<p>　B-Stage（胶态）之ACF在加压加温至固化温度且历经一段时间后，绝缘胶材将反应成C-Stage（固态）。ACF在反应成固态后，内部导电粒子的相对位置及形变将定型，硬化之胶材也可担任Underfill的脚色，对内部电极接点形成保护的效果。在将ACF压合固化的三条件当中，温度与时间最为厂商所重视，温度参数如前述将影响Warpage效应；时间参数则直接影响工厂的生产效率。</p>
<p>　由Hitachi及Sony Chemical的产品特性数据，压合温度已由过去动辄200℃降低至180℃，Hitachi也已推出160℃的低温产品。压合时间通常会与压合温度成反比，温度越低则耗时越长。然而，随着技术进步，低温且同时具备低耗时的产品线也已陆续上市。</p>
<p>　■<strong>结论</strong></p>
<p>　面板驱动IC在Fine Pitch的潮流下，不但必须要求金凸块厂的技术提升，对ACF质量的要求也日益严苛。相对于凸块厂必须面临缩小金凸块Pitch、提高金凸块之长宽比、增加凸块表面平整性等诸多压力，ACF厂面对的挑战也不小，归纳两项重要指标如下：</p>
<p>　1.缩小ACF之适用Pitch。</p>
<p>　2.降低ACF之固化温度。</p>
<p>　ACF产品结合了物理结构及化学材料等诸多知识，长期以来掌控在日本厂商手中。目前日本厂商仍具垄断地位，韩商近来发展已稍有成果，国内厂商则仍进展有限。ACF为驱动IC封装的主流胶材，未来在高密度IC之覆晶封装的带动下，应用领域可望持续扩大。以ACF市场规模来看，对厂商切入的诱因或许不大。但若以技术推升的角度来看，国内厂商若要摆脱技术追随而成为领先者的角色，ACF的投入则不可免，因为ACF已成为IC产品在Fine Pitch演进下必须掌握的关键材料。</p>
<p>&nbsp;</p>
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		<title>IC封装元件</title>
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		<pubDate>Thu, 12 Jan 2012 01:37:43 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[电子胶水]]></category>
		<category><![CDATA[工艺]]></category>
		<category><![CDATA[技术]]></category>
		<category><![CDATA[管理]]></category>
		<category><![CDATA[贴片胶]]></category>
		<category><![CDATA[邦定胶]]></category>

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		<description><![CDATA[1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。 2、QFP(quad flat package with bumper) QFP（Quad Flat Pockage）为四侧引脚扁平封装，是表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QFP。塑料QFP是最普及的多引脚LSI封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字逻辑LSI电路，而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。 3、DIP(dual in-line package) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。 4、flip-chip 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。          5、PLCC(plastic leaded chip carrier) PLCC(Plastic Leaded [...]]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>1、BGA(ball grid array)</p>
<p>球形触点陈列，表面贴装型封装之一。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。</p>
<p><a href="/wp-content/up/2012/1/1.png"><img src="/wp-content/up/2012/1/1.png" alt="" width="281" height="282" /></a></p>
<p>2、QFP(quad flat package with bumper)<br />
QFP（Quad Flat Pockage）为四侧引脚扁平封装，是表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QFP。塑料QFP是最普及的多引脚LSI封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字逻辑LSI电路，而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/1.png"><img src="/wp-content/up/2012/1/2.png" alt="" width="281" height="282" /></a><br />
3、DIP(dual in-line package)<br />
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。</p>
<p><a href="/wp-content/up/2012/1/1.png"><img src="/wp-content/up/2012/1/3.png" alt="" width="281" height="282" /></a><br />
4、flip-chip<br />
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。<br />
 <a href="/wp-content/up/2012/1/1.png"><img src="/wp-content/up/2012/1/4.png" alt="" width="281" height="282" /></a><br />
 <br />
    <br />
5、PLCC(plastic leaded chip carrier)<br />
PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier),带引线的塑料芯片载体.表面贴装型封装之一,外形呈正方形,32脚封装,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,是塑料制品,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/1.png"><img src="/wp-content/up/2012/1/5.png" alt="" width="281" height="282" /></a></p>
<p>6、SIP(single in-line package)<br />
单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。<br />
 <br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/1.png"><img src="/wp-content/up/2012/1/6.png" alt="" width="281" height="282" /></a><br />
7、 SOIC（Small Outline Integrated Circuit Package）小外形集成电路封装 指外引线数不超过28条的小外形集成电路，一般有宽体和窄体两种封装形式。其中具有翼形短引线者称为SOL器件，具有J型短引线者称为SOJ器件。SOIC是表面贴装集成电路封装形式中的一种，它比同等的DIP封装减少约30-50%的空间，厚度方面减少约70%。与对应的DIP封装有相同的插脚引线。对这类封装的命名约定是在SOIC或SO后面加引脚数。例如，14pin的4011的封装会被命名为SOIC-14或SO-14。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/1.png"><img src="/wp-content/up/2012/1/7.png" alt="" width="281" height="282" /></a><br />
8、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)<br />
J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一，也是SOIC封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此得名。 通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路，但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40。<br />
9、SOT （Small Out-Line Transister）<br />
表面贴装型封装之一，是表面贴三极管的封装形式。<br />
<a href="/wp-content/up/2012/1/1.png"><img src="/wp-content/up/2012/1/9.png" alt="" width="281" height="282" /></a></p>
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		<title>SMT常用术语&amp;中英文对照</title>
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		<pubDate>Thu, 12 Jan 2012 01:24:33 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[电子胶水]]></category>
		<category><![CDATA[SMT]]></category>
		<category><![CDATA[工艺]]></category>
		<category><![CDATA[技术]]></category>
		<category><![CDATA[胶水]]></category>
		<category><![CDATA[贴片胶]]></category>

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		<description><![CDATA[微組裝技術﹕MPT/Microelectronic Packaging echnology 混裝技術﹕Mixed Component Mounting Technology 封裝﹕ Package 貼片﹕ Pick and Place 拆焊﹕ Desoldering 再流﹕Reflow 浸焊﹕ Dip Soldering 拖焊﹕ Drag soldering 印制電路﹕Printed Circuit 印制線路﹕ Printed Wiring 印制電路板﹕ printed circuit board 印制線路板﹕printed wiring board 層壓板﹕laminate 覆铜銅薄层壓板﹕copper-clad laminate 基材﹕base material 成品板﹕production board 印刷﹕printing 導電圖形﹕conductive pattern 印制元件﹕printed component 單面印制板﹕single-sided printed board 雙面印制板﹕double-sided printed board 多層印制板﹕multilayer printed board [...]]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>微組裝技術﹕MPT/Microelectronic Packaging echnology</p>
<p>混裝技術﹕Mixed Component Mounting Technology</p>
<p>封裝﹕ Package</p>
<p>貼片﹕ Pick and Place</p>
<p>拆焊﹕ Desoldering</p>
<p>再流﹕Reflow</p>
<p>浸焊﹕ Dip Soldering</p>
<p>拖焊﹕ Drag soldering</p>
<p>印制電路﹕Printed Circuit</p>
<p>印制線路﹕ Printed Wiring</p>
<p>印制電路板﹕ printed circuit board</p>
<p>印制線路板﹕printed wiring board</p>
<p>層壓板﹕laminate</p>
<p>覆铜銅薄层壓板﹕copper-clad laminate</p>
<p>基材﹕base material</p>
<p>成品板﹕production board</p>
<p>印刷﹕printing</p>
<p>導電圖形﹕conductive pattern</p>
<p>印制元件﹕printed component</p>
<p>單面印制板﹕single-sided printed board</p>
<p>雙面印制板﹕double-sided printed board</p>
<p>多層印制板﹕multilayer printed board</p>
<p>電烙鐵﹕ Iron</p>
<p>熱風嘴﹕ hot air reflowing noozle</p>
<p>吸錫帶﹕soldering wick</p>
<p>吸錫器﹕tin extractor</p>
<p>焊後檢驗﹕post-soldering inspection</p>
<p>目視檢驗﹕visual inspection</p>
<p>機器檢驗﹕ machine inspection</p>
<p>焊點質量﹕ soldering joint quality</p>
<p>焊電缺陷﹕ soldering jont defect<br />
錯焊﹕ solder wrong</p>
<p>漏焊﹕ solder skips</p>
<p>虛焊﹕ pseudo soldering</p>
<p>冷焊﹕ cold soldering</p>
<p>橋焊﹕ solder bridge</p>
<p>脫焊﹕ open soldering</p>
<p>焊點剝離﹕ solder off</p>
<p>不潤濕焊點﹕ soldering nonwetting</p>
<p>錫珠﹕ solder ball</p>
<p>拉尖﹕ icicle ； solder projection</p>
<p>孔洞﹕ void</p>
<p>焊料爬越﹕ solder wicking</p>
<p>過熱焊點﹕ overheated solder connection</p>
<p>不飽和焊點﹕ insufficient solder connection</p>
<p>過量焊點﹕ excess solder connection</p>
<p>助焊劑剩余﹕ flux residue</p>
<p>焊料裂紋﹕ solder crazeing</p>
<p>焊角翹起﹕ fillet-lifting ；lift-off</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>AI :Auto-Insertion 自動插件<br />
AQL :acceptable quality level 允收水準<br />
ATE :automatic test equipment 自動測試<br />
ATM :atmosphere 氣壓<br />
BGA :ball grid array 球形矩陣<br />
CCD :charge coupled device 監視連接元件(攝影機)<br />
CLCC :Ceramic leadless chip carrier 陶瓷引腳載具<br />
COB :chip-on-board 晶片直接貼附在電路板上<br />
cps :centipoises(黏度單位) 百分之一<br />
CSB :chip scale ball grid array 晶片尺寸BGA<br />
CSP :chip scale package 晶片尺寸構裝<br />
CTE :coefficient of thermal expansion 熱膨脹系數<br />
DIP :dual in-line package 雙內線包裝(泛指手插元件)<br />
FPT :fine pitch technology 微間距技術<br />
FR-4 :flame-retardant substrate 玻璃纖維膠片(用來製作PCB材質)<br />
IC :integrate circuit 積體電路<br />
IR :infra-red 紅外線<br />
Kpa :kilopascals(壓力單位)<br />
LCC :leadless chip carrier 引腳式晶片承載器<br />
MCM :multi-chip module 多層晶片模組<br />
MELF :metal electrode face 二極體<br />
MQFP :metalized QFP 金屬四方扁平封裝<br />
NEPCON :National Electronic Package and<br />
Production Conference 國際電子包裝及生產會議<br />
ppm:parts per million 指每百萬PAD(點)有多少個不良PAD(點)<br />
psi :pounds/inch2 磅/英吋2<br />
PWB :printed wiring board 電路板<br />
QFP :quad flat package 四邊平坦封裝<br />
SIP :single in-line package<br />
SIR :surface insulation resistance 絕緣阻抗<br />
SMC :Surface Mount Component 表面黏著元件<br />
SMD :Surface Mount Device 表面黏著元件<br />
SMEMA :Surface Mount Equipment<br />
Manufacturers Association 表面黏著設備製造協會<br />
SMT :surface mount technology 表面黏著技術<br />
SOIC :small outline integrated circuit<br />
SOJ :small out-line j-leaded package<br />
SOP :small out-line package 小外型封裝<br />
SOT :small outline transistor 電晶體<br />
SPC :statistical process control 統計過程控制<br />
SSOP :shrink small outline package 收縮型小外形封裝<br />
TAB :tape automaticed bonding 帶狀自動結合<br />
TCE :thermal coefficient of expansion 膨脹(因熱)係數<br />
Tg :glass transition temperature 玻璃轉換溫度<br />
THD :Through hole device 須穿過洞之元件(貫穿孔)<br />
TQFP :tape quad flat package 帶狀四方平坦封裝<br />
UV :ultraviolet 紫外線<br />
uBGA :micro BGA 微小球型矩陣<br />
cBGA :ceramic BGA 陶瓷球型矩陣<br />
PTH <img src='http://pp808.cn/wp-includes/images/smilies/icon_razz.gif' alt=':P' class='wp-smiley' /> lated Thru Hole 導通孔<br />
IA Information Appliance 資訊家電產品<br />
MESH 網目<br />
OXIDE 氧化物<br />
FLUX 助焊劑<br />
LGA (Land Grid Arry)封裝技術 LGA封裝不需植球，適合輕薄短小產品<br />
應用。<br />
TCP (Tape Carrier Package)<br />
ACF Anisotropic Conductive Film 異方性導電膠膜製程</p>
<p>Solder mask 防焊漆<br />
Soldering Iron 烙鐵<br />
Solder balls 錫球<br />
Solder Splash 錫渣<br />
Solder Skips 漏焊<br />
Through hole 貫穿孔<br />
Touch up 補焊<br />
Briding 穚接(短路)<br />
Solder Wires 焊錫線<br />
Solder Bars 錫棒<br />
Green Strength 未固化強度(紅膠)<br />
Transter Pressure 轉印壓力(印刷)<br />
Screen Printing 刮刀式印刷<br />
Solder Powder 錫顆粒<br />
Wetteng ability 潤濕能力<br />
Viscosity 黏度<br />
Solderability 焊錫性<br />
Applicability 使用性<br />
Flip chip 覆晶<br />
Depaneling Machine 組裝電路板切割機<br />
Solder Recovery System 錫料回收再使用系統<br />
Wire Welder 主機板補線機<br />
X-Ray Multi-layer Inspection System X-Ray孔偏檢查機<br />
BGA Open/Short X-Ray Inspection Machine BGA X-Ray檢測機<br />
Prepreg Copper Foil Sheeter P.P. 銅箔裁切機<br />
Flex Circuit Connections 軟性排線焊接機<br />
LCD Rework Station 液晶顯示器修護機<br />
Battery Electro Welder 電池電極焊接機<br />
PCMCIA Card Welder PCMCIA卡連接器焊接<br />
Laser Diode 半導體雷射<br />
Ion Lasers 離子雷射<br />
Nd: YAG Laser 石榴石雷射<br />
DPSS Lasers 半導體激發固態雷射<br />
Ultrafast Laser System 超快雷射系統<br />
MLCC Equipment 積層元件生產設備<br />
Green Tape Caster, Coater 薄帶成型機<br />
ISO Static Laminator 積層元件均壓機<br />
Green Tape Cutter 元件切割機<br />
Chip Terminator 積層元件端銀機<br />
MLCC Tester 積層電容測試機<br />
Components Vision Inspection System晶片元件外觀檢查機<br />
高壓恆溫恆濕壽命測試機 High Voltage Burn-In Life Tester<br />
電容漏電流壽命測試機 Capacitor Life Test with Leakage Current<br />
晶片打帶包裝機 Taping Machine<br />
元件表面黏著設備 Surface Mounting Equipment<br />
電阻銀電極沾附機 Silver Electrode Coating Machine<br />
TFT-LCD(薄膜電晶體液晶顯示器) 筆記型用<br />
STN-LCD(中小尺寸超扭轉向液晶顯示器 行動電話用<br />
PDA(個人數位助理器)<br />
CMP(化學機械研磨)製程<br />
研磨液(Slurry)，<br />
Compact Flash Memory Card (簡稱CF記憶卡) MP3、PDA、數位相機<br />
Dataplay Disk(微光碟)。<br />
交換式電源供應器(SPS)<br />
專業電子製造服務 (EMS)，<br />
PCB<br />
高密度連結板（HDI board， 指線寬／線距小於4／4 mil）微小孔板（Micro-via board），孔俓5-6mil以 下 水溝效應（Puddle Effect）：早期大面積鬆寬線路之蝕刻銀貫孔(STH)銅貫孔(CTH)<br />
組裝電路板切割機 Depaneling Machine</p>
<p>NONCFC＝無氟氯碳化合物。<br />
Support pin＝支撐柱<br />
F.M.＝光學點</p>
<p>ENTEK 裸銅板上塗一層化學藥劑使PCB的pad比較不會生鏽<br />
QFD：品質機能展開<br />
PMT：產品成熟度測試<br />
ORT：持續性壽命測試<br />
FMEA：失效模式與效應分析<br />
TFT-LCD(薄膜電晶體液晶顯示器) (Liquid-Crystal Displays Addressed by Thin-Film Transistors)<br />
導線架（Lead Frame）：單體導線架（Discrete Lead Frame）及積體線路導線架（IC Lead Frame）二種</p>
<p>ISP的全名是Internet Service Provider，指的是網際網路服務提供<br />
ADSL即為非對稱數位用戶迴路數據機<br />
SOP: Standard Operation Procedure（標準操作手冊）<br />
DOE: Design Of Experiment （實驗計劃法）<br />
打線接合（Wire Bonding）<br />
捲帶式自動接合（Tape Automated Bonding, TAB）<br />
覆晶接合（Flip Chip）</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>品質規範:<br />
JIS 日本工業標準<br />
ISO 國際認證<br />
M.S.D.S 國際物質安全資料<br />
FLUX SIR 加溼絕緣阻抗值</p>
<p>1. RMA (Return Material Authorization)維修作業<br />
意指產品售出後經由客戶反應發生問題的不良品維修及分析。</p>
<p>Automatic optical inspection (AOI自動光學檢查)<br />
上板机：Loader<br />
下板机：unloader<br />
滴涂器：dispenser<br />
点胶机：dispenser<br />
真空吸笔：vacuum pick &amp; place tool<br />
贴片机：place machine ；chip mounter<br />
波峰焊接机： wave soldering systems<br />
再流焊炉：reflow soldering systems<br />
自定位：self – aligment<br />
位移：skewing<br />
立片： tomb stone<br />
掉片： flying<br />
在线测试：ict；in cricult testing<br />
功能测试：funtion testing<br />
自动光学检测仪：AOI ；automated optical inspection<br />
自动X射线检查： AXI ；automated X-ray inspection<br />
返工工作台： rework station<br />
清洗机：cleaning systems</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>ASIC   Application Specific IC    专用集成电路<br />
ATE    Auto Test Equipment    自动检测设备<br />
AOI  Automated Optic<span>al</span> Inspection   自动光学检测仪<br />
BQFP   QFP With Buffer   带缓冲器QFP<br />
COB   Chip-on-Board Technology   板载芯片技术<br />
CRV   Contact Resistance Variety   接触电阻变化<br />
Chip pot   Chip Potentiometer   片式电位器<br />
CMPAK   Compact Mini Package 模塑微形封装<br />
CTE   Coefficient of therm<span>al</span> Expansion   热膨胀系数<br />
DIP   Du<span>al</span> In-Line Package   双列直插式组件<br />
DMS   Direct Met<span>al</span>lization System   孔金属化<br />
ERP   Extremely Sm<span>al</span>l Resin Package   超小形树脂封装<br />
ECL   Emitter Coupled Logic   电流开头逻辑<br />
ECL   Emitter Coupled Logic   发射极耦合逻辑<br />
FPD   Fine Pitch De Vices 细间距器件<br />
HSOP   Sop With Heat Sink   SOP带散热器件封<br />
HQFP   QFP With Heat Package   带有散热器的SQJ封装<br />
HSOJ   SOJ With Heat Sink   带有散热器的SQJ封装<br />
H<span>AL</span>   Heat Air Lereline   热风整片<br />
HT   Hybrid Technology   混装技术<br />
IPC   The Institute for Interconnecting and Packaging electronic Circuit Test   电子电路封装和互连协会<br />
ICT   In Circuit Test   在线测试<br />
JEDEC   Joint Electronic Device Engineering Council   美国电子器件工程委员会<br />
LCCC   Leadless Ceramic Chip Carrier   无引线陶瓷芯片载体<br />
LSI   Large Sc<span>al</span>e Integration   大规模集成<br />
LPSR   Liguid Photo Solder Resist   液体光致成象阻碍剂工艺<br />
MPT   Microelect Vonics Pakaging Technology   微组装技术<br />
MELF   Met<span>al</span> Elecrodes Leadless Face Components   金属电极无引线端面无件<br />
MLC   M<span>al</span>ti Layer Capacitor   多层片状陶瓷电容器<br />
MPAK   Mini Package   微形封装<br />
PCB   Printed Circuit Board   印制板<br />
PLCC   Plastic Leaded Chip Carrier   塑封有引线芯片载体<br />
PQFP   Plas<br />
tic Quad Flat Package   塑封方形扁平封装<br />
PET   Polyethglene Terephth<span>al</span>ate   聚乙烯对苯二甲酸酯<br />
PCT   Pressure Cooker Test   压力煮蒸加偏压试验<br />
QFP   Quad Flat Package   方型扁平封装<br />
QFJ   Quad Flat J-lead Package   具有J形引线的QFP封装<br />
R&amp;.W   Resistor &amp;. Potentiometer   电阻器与电位器<br />
SMT   Surface Mounting Technology   表面安装技术<br />
SMC   Surface Mounting Components    表面安装元件<br />
SMD   Surface Mounting Devices   表面安装器件<br />
SMS   Surface Mounting Switch    表面安装开关<br />
SIP   Simple In-Line Package    单列直插式封装<br />
SOP   Sm<span>al</span>l Outline Package   小外形封装<br />
SOJ   Sm<span>al</span>l Outline J-Lead Package   具有J形引线的小外形封装<br />
SRP   Sm<span>al</span>l Resin Package    小形树脂封装<br />
SOD   Sm<span>al</span>l Outline Diode   小外形二极管<br />
SOT   Sm<span>al</span>l Outline Transistor   小形晶体管<br />
SOIC   Sm<span>al</span>l Outline Integrated Circuit   小外形集成电路<br />
SMPB   Sequenti<span>al</span> Multilayer Printed Board   多层印制板<br />
SMOBC   Solder Mask on Bare Copper   裸铜上印阻焊剂<br />
SMA   Surface Mount Assembly   表面安装组件<br />
TIIT   Through Hole Mounting Technology   插装技术<br />
TCR   Temperature Coefficient of Resistance   电阻温度系数<br />
TAB   Tape Automated Bonding   带载自动焊<br />
TQFP   Thin Quad Flat Package   薄形QFP<br />
TCM   Therm<span>al</span> Conduction Module   热导模块<br />
TIIM   Through Thru-Hole Mounting   通孔模块<br />
UMD   Ultra Mini Diode   超微型二极管<br />
URP   Ultra Sm<span>al</span>l Resin Package   超小形树脂封装<br />
ULSI   Ultra LSI   超大规模集成<br />
VCO   Variable Cycle Operation   可变周期操作<br />
WB   Wire Bonding   引线键合</p>
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		<title>1500T入手12天报告</title>
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		<pubDate>Tue, 10 Jan 2012 03:43:04 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[我的随笔]]></category>
		<category><![CDATA[casio]]></category>
		<category><![CDATA[卡西欧]]></category>
		<category><![CDATA[手表]]></category>

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		<description><![CDATA[1500T入手12天报告 12月11日入手1500T,目前使用正常,写一下感觉吧,确实是不错的表,做工良好,功能丰富; 外观:大气跟细腻不冲突,非常不错,就是钛表链太容易花了; 气压:不是很懂得看,这几天一般也就在1010-1020hPa之间,晚上低一些,白天高一些,具本有什么影响,就不了解了; 高度:不能简单用准和不准来说,必竟是算出来的,气压在变,高度也在变,只能作为某一时段的相对高度来看; 温度:脱下来测还是挺准的,不过要很长时间,10-20min左右吧; 指南针:不知道准不准,估计应该没问题,身边也没有基准件,就没怎么用; 潮汐和月相:虽然在几个功能里科技含量最低的,但是因为我离海边近,所以反而最喜欢这个功能; 电波:到手只收到1次波,为12-21 03:18分,表买之前12-8 01:03分收到过,相隔13天,我在深圳大鹏这边,住的位置比较高,6楼,不过好像平常不管手动还是自动都不好收波,但是在你没关注,睡觉的时候它却收到波了,&#8212;&#8212;-难道暗送日波,呵呵! 200米防水:没试过,觉得应该问题不大,一般下水估计也会脱掉; 另外本人手腕17.5cm,自己拆掉2节表链,扣子在最外面的孔,感觉差不多,会有一点点紧,给大家参考一上;]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p><strong><span style="color: #ff0000;">1500</span></strong>T入手12天报告<br />
12月11日入手<strong><span style="color: #ff0000;">1500</span></strong>T,目前使用正常,写一下感觉吧,确实是不错的表,做工良好,功能丰富;</p>
<p>外观:大气跟细腻不冲突,非常不错,就是钛表链太容易花了;<br />
气压:不是很懂得看,这几天一般也就在1010-1020hPa之间,晚上低一些,白天高一些,具本有什么影响,就不了解了;<br />
高度:不能简单用准和不准来说,必竟是算出来的,气压在变,高度也在变,只能作为某一时段的相对高度来看;<br />
温度:脱下来测还是挺准的,不过要很长时间,10-20min左右吧;<br />
指南针:不知道准不准,估计应该没问题,身边也没有基准件,就没怎么用;<br />
潮汐和月相:虽然在几个功能里科技含量最低的,但是因为我离海边近,所以反而最喜欢这个功能;<br />
电波:到手只收到1次波,为12-21 03:18分,表买之前12-8 01:03分收到过,相隔13天,我在深圳大鹏这边,住的位置比较高,6楼,不过好像平常不管手动还是自动都不好收波,但是在你没关注,睡觉的时候它却收到波了,&#8212;&#8212;-难道暗送日波,呵呵!<br />
200米防水:没试过,觉得应该问题不大,一般下水估计也会脱掉;</p>
<p>另外本人手腕17.5cm,自己拆掉2节表链,扣子在最外面的孔,感觉差不多,会有一点点紧,给大家参考一上;</p>
<p><a href="/wp-content/up/12/21.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/12/21.jpg" alt="" width="304" height="204" /></a><img src="/wp-content/up/12/22.jpg" alt="" width="304" height="204" /></p>
<p><img src="/wp-content/up/12/23.jpg" alt="" width="304" height="204" /><img src="/wp-content/up/12/24.jpg" alt="" width="304" height="204" /></p>
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		<title>小米手机入手</title>
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		<pubDate>Tue, 10 Jan 2012 03:37:56 +0000</pubDate>
		<dc:creator>chl99</dc:creator>
				<category><![CDATA[我的随笔]]></category>
		<category><![CDATA[小米]]></category>
		<category><![CDATA[手机]]></category>

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		<description><![CDATA[今天终于收到小米手机了，1月4日下的单，6日发货，到深圳也就3天，如风达的速度还算挺快的，而且短信、电话都实时追踪的到，快递员仔细检查了我的身份证才让我收货，还是挺细心的；一拿到手机，迫不急待的拆包装、装电池，开机；呵呵！真是一部好机子啊，屏幕很靓，跟IP4对比了一下，也不差，最遗憾的是有一个小亮点，没办法算是人品差吧，不过还是可以接受的；下了几个游戏试玩了一下，运行非常流畅；可惜只拍了手机，没有买屏贴和套子，又要下单买了，以下是开箱图，原来的老机子I900拍的效果比较差，凑合看一下，另外刚买的美版1500t也露一下脸!]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>今天终于收到小米手机了，1月4日下的单，6日发货，到深圳也就3天，如风达的速度还算挺快的，而且短信、电话都实时追踪的到，快递员仔细检查了我的身份证才让我收货，还是挺细心的；一拿到手机，迫不急待的拆包装、装电池，开机；呵呵！真是一部好机子啊，屏幕很靓，跟IP4对比了一下，也不差，最遗憾的是有一个小亮点，没办法算是人品差吧，不过还是可以接受的；下了几个游戏试玩了一下，运行非常流畅；可惜只拍了手机，没有买屏贴和套子，又要下单买了，以下是开箱图，原来的老机子I900拍的效果比较差，凑合看一下，另外刚买的美版1500t也露一下脸!</p>
<p><a href="/wp-content/up/12/101.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/12/101.jpg" alt="" width="438" height="329" /></a></p>
<p><a href="/wp-content/up/12/102.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/12/102.jpg" alt="" width="438" height="329" /></a></p>
<p><a href="/wp-content/up/12/103.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/12/103.jpg" alt="" width="438" height="329" /></a></p>
<p><a href="/wp-content/up/12/104.jpg"><img class="alignnone" src="/wp-content/up/12/104.jpg" alt="" width="438" height="329" /></a></p>
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